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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10T60L 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至700毫欧（@5A），有效降低了导通损耗。同时，35nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频开关电源的效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗43W，具备良好的热可靠性。
基本参数：
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