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AOTF10T60L 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至700毫欧（@5A），有效降低了导通损耗。同时，35nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频开关电源的效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗43W，具备良好的热可靠性。

• 制造商产品型号：AOTF10T60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1346pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：43W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• AOTF10T60L，AOS产品一站式供应商。