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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOY2N60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的耐压和电流处理能力。
该器件的关键优势在于其低导通电阻与优化的开关特性。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.7欧姆，有助于降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至11nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性。
基本参数：
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