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AOD256是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于150V的漏源电压（Vdss）和高达19A（Tc）的连续漏极电流能力，结合低至85毫欧（@10V，10A）的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为22nC（@10V），配合较低的输入电容，确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，适用于高频工作场景。其逻辑电平驱动兼容性（Vgs(th) ≤ 2.8V）和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），进一步增强了其在工业控制、电源转换及电机驱动等领域的适用性和可靠性。

• 型号:AOD256
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1165 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD256，AOS产品一站式供应商。