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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD256是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于150V的漏源电压（Vdss）和高达19A（Tc）的连续漏极电流能力，结合低至85毫欧（@10V，10A）的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统整体能效。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为22nC（@10V），配合较低的输入电容，确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，适用于高频工作场景。其逻辑电平驱动兼容性（Vgs(th) ≤ 2.8V）和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），进一步增强了其在工业控制、电源转换及电机驱动等领域的适用性和可靠性。
制造商产品型号：AOD256制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：150V25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 75VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD256，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD256
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD256的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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