AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOV11S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用表面贴装型4-DFN-EP（8x8）封装，核心特性包括600V的高漏源电压（Vdss）以及优异的导通性能，其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、3.8A Id条件下典型值低至500毫欧。
该器件设计兼顾了高效率与快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。其电流承载能力在良好散热条件下可达8A（Tc），并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级环境下的可靠性与鲁棒性。这些特性使其成为中高压功率转换应用的理想选择。
基本参数：
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