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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT16N50是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心卖点在于500V的高漏源耐压（Vdss）与16A（Tc）的高连续电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至370毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为51nC，有利于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高效能转换设计的理想选择。
基本参数：
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