AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSP32314 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于30V的漏源电压和14.5A的连续漏极电流能力，结合低至9毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，为低压大电流应用提供了卓越的传导性能，能有效降低导通损耗并提升系统效率。
该器件具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为32nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关电源设计。其2.25V的栅极阈值电压使其与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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