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AO8830是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-TSSOP表面贴装封装。该器件集成了两个共漏极连接的逻辑电平增强型MOSFET，其核心电气性能表现为极低的导通电阻（27mΩ @ 6A, 10V）和栅极电荷（5.2nC @ 4.5V），旨在实现高效率的功率切换与最小化的开关损耗。

其20V的漏源击穿电压（Vdss）和1V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）使其非常适合由3.3V/5V逻辑直接驱动的低电压、大电流开关应用，例如同步整流和电机驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性。该器件为空间受限的高性能电源和电机控制解决方案提供了紧凑的双通道开关选项。

• 型号:AO8830
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• AO8830，AOS产品一站式供应商。