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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4568是一款由AOS制造的N沟道MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压(VDSS)和12A(Ta=25°C)的连续漏极电流能力,适用于中低功率应用。
该器件的关键优势在于其低导通电阻,在10V VGS和12A ID条件下,RDS(on)最大值仅为11.5毫欧,能有效降低导通损耗。同时,其低栅极电荷(最大15nC @ 10V)和适中的输入电容有助于实现快速开关,提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在各类环境下的稳定运行。

基本参数:
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