AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4492L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数针对高效功率转换进行了优化，在10V栅极驱动下提供低至9.5毫欧的导通电阻（Rds(On)），并支持高达14A的连续漏极电流，这使其在传导损耗控制方面表现突出。
器件具备30V的漏源电压额定值和±20V的栅源电压耐受范围，确保了应用的可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.8nC，阈值电压兼容标准逻辑电平，有利于实现简洁、高效的栅极驱动设计。这些特性共同指向其在同步整流、电机驱动及紧凑型DC-DC转换器等需要高电流密度和快速开关响应的应用价值。
基本参数：
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