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AON7410_106是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，由AOS制造。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（典型值20毫欧 @ 10V Vgs, 8A），这显著降低了传导损耗，提升了功率转换效率。

器件具备优异的开关性能，其低栅极电荷（12nC @ 10V）和输入电容（660pF @ 15V）有助于实现高速开关并简化驱动电路设计。在电流承载方面，它在管壳温度25°C下可支持高达24A的连续漏极电流，并拥有20W（Tc）的最大功耗能力，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AON7410_106
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），24A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7410_106，AOS产品一站式供应商。