AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6500_001是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为0.95mΩ，能显著降低传导损耗。
该器件在Tc条件下连续漏极电流高达200A，漏源电压为30V，适用于中压、大电流应用。其栅极电荷（Qg）最大值为145nC @ 10V，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。工作结温范围为-55°C至150°C，具备良好的热性能，适合高功率密度设计。
基本参数：
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