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AOTF29S50L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能。在10V Vgs条件下，其导通电阻（Rds(on)）低至150毫欧（@14.5A），能显著降低传导损耗。同时，最大26.6nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:AOTF29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:37.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF29S50L，AOS产品一站式供应商。