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零件图片（仅供参考）
AOT1N60
规格参数

AOT1N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心特性在于600V的高漏源电压与1.3A的连续漏极电流能力，为应对高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至9欧姆，配合仅8nC的低栅极电荷，实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗41.7W，确保了在各类严苛环境下的稳定性和可靠性，是中小功率离线电源和电机驱动应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOT1N60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 650mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：160pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：41.7W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT1N60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT1N60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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