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零件图片（仅供参考）
AOD5N40
规格参数

AOD5N40是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心特性包括400V的高漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.6欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，其极低的栅极电荷（Qg，最大8.5nC）和输入电容优化了开关性能，可实现快速切换并减少开关损耗，提升系统整体效率。

凭借78W的功率耗散能力和-50°C至150°C的宽工作结温范围，AOD5N40确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性与稳定性，是开关电源、LED驱动和电机控制等领域的优选功率开关解决方案。

  • 制造商产品型号：AOD5N40
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：400V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：78W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD5N40
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD5N40的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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