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AO3415L_108是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，核心卖点在于其优异的导通性能与开关效率。其在4.5V Vgs和4A Id条件下，导通电阻典型值低至43毫欧，能有效降低导通损耗；同时，其栅极电荷仅为17.2nC，有助于实现快速开关，提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流达4A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的电气鲁棒性与环境适应性。这些特性使其成为空间受限设计中，进行负载开关、电源路径管理和低侧驱动的可靠选择。

• 制造商产品型号：AO3415L_108
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：43 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3415L_108，AOS产品一站式供应商。