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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW4S60是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。其核心优势在于600V的高漏源电压（Vdss）与4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的电气基础。
该器件在动态性能上表现突出，具备极低的栅极电荷（Qg，典型值6nC @ 10V）和输入电容（Ciss），这直接转化为快速的开关速度和较低的驱动损耗。同时，其导通电阻（Rds(on)）在2A电流、10V驱动下最大值为900毫欧，有助于降低导通状态下的功率损失，提升系统整体效率。
基本参数：
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