AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6405是AOS推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）紧凑封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs条件下，Rds(on)低至7毫欧，Qg仅为105nC，这共同实现了极低的传导损耗与开关损耗，显著提升系统效率。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在Tc条件下可达30A，最大功率耗散为83W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其能够胜任大电流、高效率的功率开关任务，尤其适用于空间受限的便携式设备电源管理、DC-DC转换及负载开关等应用。
基本参数：
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