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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4264是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性平衡,在10V驱动下导通电阻低至11毫欧(@12A),能有效降低导通损耗。同时,其栅极电荷最大值仅为40nC,有利于实现高效率和高频开关操作。
该器件额定漏源电压为60V,连续漏极电流达12A,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,提供了可靠的电气性能与宽温工作能力。这些特性使其成为适用于DC-DC转换、电机驱动及电源开关等场景的紧凑型功率开关解决方案。

基本参数:

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