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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF280A60L 是AOS公司基于aMOS5技术推出的N沟道功率MOSFET。该器件额定电压为600V,连续漏极电流达14A,其核心优势在于极低的导通电阻(典型值280mΩ @ 7A, 10V),这能显著降低导通损耗,提升系统效率。
此外,该器件具备较低的栅极电荷(最大值23.5nC)和输入电容,有助于实现快速开关并降低驱动损耗,适用于高频开关应用。其采用TO-220F封装,工作结温范围宽达-55°C至150°C,为工业电源、电机驱动和PFC电路等高压、高可靠性应用提供了高性能的开关解决方案。

基本参数:

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