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AO4466 零件图片(仅供参考)

AO4466
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AO4466 规格参数

AO4466是一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC封装,专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(23mΩ @ 10A, 10V)与较低的栅极电荷(8.6nC @ 10V),这共同确保了在承载高达10A连续电流时具有较低的传导损耗,并能实现快速的开关速度,从而提升系统整体效率。

该器件具备30V的漏源电压额定值和宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ),兼容标准逻辑电平驱动(Vgs(th)最大2.6V)。这些参数使其成为空间受限的同步整流、DC-DC转换器、电机驱动及负载开关等应用的理想选择,在要求高可靠性和高效能的场合表现出色。

  • 型号:AO4466
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):448 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • AO4466,AOS产品一站式供应商。
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AO4466 基本参数:

  • 电子零件型号:AO4466
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AO4466的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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