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零件图片(仅供参考)
AON4420
规格参数

AON4420是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(3x2)表面贴装封装。其核心电气参数针对高效功率开关进行了优化,具备30V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通损耗与出色的开关性能。在10V Vgs条件下,其导通电阻(RdsOn)最大值低至20毫欧@10A,同时栅极电荷(Qg)最大值仅为12nC。这些特性共同作用,显著降低了导通与开关过程中的功率损耗,有助于提升系统整体能效并允许更高频率的设计。其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)也确保了在各类环境下的稳定运行。

  • 制造商产品型号:AON4420
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(3x2)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON4420
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON4420的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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