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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6782是AOS公司基于SRFET技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在管壳温度下可支持高达85A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为2.4毫欧，能显著降低导通损耗。
此外，该MOSFET集成了一个体肖特基二极管，并具备51nC（@10V）的最大栅极电荷和2.5W（Ta）/83W（Tc）的功率耗散能力，在-55°C至150°C的宽结温范围内工作。这些特性使其成为高效率同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择，旨在提升系统的功率密度和整体能效。
基本参数：
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