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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON2420是AOS推出的一款N沟道MOSFET,采用6-DFN-EP(2x2)表面贴装封装,专为高效功率开关设计。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和8A条件下典型值仅为11.7毫欧,能显著降低传导损耗;同时,12nC的低栅极电荷(Qg @ 10V)确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗,提升系统整体能效。
该器件额定漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)达8A,工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C,适用于中低压、中电流应用环境。其4.5V至10V的驱动电压范围与常见逻辑电平兼容,便于电路设计集成,是DC-DC转换、电机驱动和负载管理等应用的理想选择。

基本参数:

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