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零件图片(仅供参考)
AOT2910L
规格参数

AOT2910L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220通孔封装,专为中压、中电流的功率开关应用而优化。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡,在10V Vgs下提供低至24毫欧的导通电阻,同时栅极电荷最大值仅为25nC,这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗,提升整体效率。

该器件额定漏源电压为100V,连续漏极电流在管壳温度下可达30A,并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围,确保了其在严苛环境下的可靠性与耐用性。这些特性使其成为DC-DC转换、电机驱动、电源管理及各类工业控制应用中高效功率路径管理的理想解决方案。

  • 制造商产品型号:AOT2910L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N CH 100V 6A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta),30A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1190pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOT2910L
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N CH 100V 6A TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT2910L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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