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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON5816是AOS推出的一款双N沟道共漏极功率MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，额定电压20V，连续漏极电流能力达12A，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值6.5mΩ @12A, 4.5V），能显著降低功率转换过程中的传导损耗。
器件具备较低的栅极电荷（35nC @4.5V）和栅极阈值电压（最大1.3V），确保了快速的开关特性和与低压控制逻辑的良好兼容性，适用于高频开关场景。宽工作结温范围（-55°C至150°C）与带裸露焊盘的封装设计，共同保障了其在紧凑空间内的高可靠性运行与高效散热。
基本参数：
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