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AOWF12N50 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。该器件核心规格为500V漏源电压(Vdss)和12A连续漏极电流(Id)，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V Vgs、6A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为520毫欧，有效降低了功率损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)低至37nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路负担。这些特性共同指向了高效率与高功率密度的设计目标。

器件工作结温范围为-55°C至150°C，最大功耗28W，确保了在宽温度范围和严苛工况下的稳定运行。它主要面向开关电源、电机驱动、UPS等需要高效、可靠功率管理的工业与商业应用。

• 型号:AOWF12N50
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF12N50，AOS产品一站式供应商。