AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF12N50 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。该器件核心规格为500V漏源电压(Vdss)和12A连续漏极电流(Id)，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V Vgs、6A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为520毫欧，有效降低了功率损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)低至37nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路负担。这些特性共同指向了高效率与高功率密度的设计目标。
器件工作结温范围为-55°C至150°C，最大功耗28W，确保了在宽温度范围和严苛工况下的稳定运行。它主要面向开关电源、电机驱动、UPS等需要高效、可靠功率管理的工业与商业应用。
基本参数：
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