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零件图片（仅供参考）
AOW20S60
规格参数

AOW20S60 是AOS公司aMOS系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压(Vdss)和20A的连续漏极电流(Id)，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs、10A Id条件下典型值仅为199mΩ，有助于最小化传导损耗。同时，19.8nC的低栅极电荷(Qg)确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的AC-DC电源、电机驱动和光伏逆变器等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOW20S60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO262
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：199 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19.8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1038pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：266W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-262
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOW20S60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 20A TO262
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOW20S60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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