AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6534是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在Vgs=10V条件下低至8毫欧的导通电阻（Rds(On)），这确保了在20A至30A连续电流范围内具有极低的传导损耗。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为22.5nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合4.1W（Ta）和25W（Tc）的功率耗散能力，提供了可靠的散热性能和宽泛的工作环境适应性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的优选功率开关器件。
基本参数：
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