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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6418是AOS公司推出的一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SDMOS产品系列。该器件额定电压为30V（Vdss），在25°C环境温度下可承载14A连续电流，而在管壳温度条件下电流能力可达36A，并支持高达25W的功率耗散，适用于高电流密度应用。
其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC，结合1.8V的低阈值电压，确保了快速、高效的开关动作，有助于提升整体电源系统的转换效率与功率密度。其工作结温范围为-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。
基本参数：
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