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零件图片（仅供参考）
AON2392
规格参数

AON2392是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术制造。该器件核心规格为100V漏源电压（VDSS）和8A连续漏极电流（ID），在10V VGS下导通电阻（RDS(on)）低至32毫欧，有效降低了功率传导损耗。

其设计同时优化了开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为25nC，输入电容（Ciss）为840pF，这有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件采用热增强型8-DFN（2x2）小型封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性和稳定性。

  • 制造商产品型号：AON2392
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaSGT
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：840pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（2x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON2392
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON2392的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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