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零件图片（仅供参考）
AON2400
规格参数

AON2400是一款N沟道功率MOSFET，采用6-DFN-EP（2x2）表面贴装封装，专为高效率、高密度电源应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在2.5V Vgs和8A Id条件下，Rds(On)最大值仅为11毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）低至16nC @ 4.5V，确保了快速的开关性能，有助于提升系统整体效率。

该器件额定电压为8V Vdss，连续漏极电流达8A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的电气鲁棒性。这些特性使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，尤其适用于空间受限的便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器同步整流及电源管理路径。

  • 制造商产品型号：AON2400
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：8V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，2.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 8A，2.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：750mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1645pF @ 4V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DFN-EP（2x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON2400
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 8V 8A 6DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON2400的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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