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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOT14N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,专为高压、高效率的开关应用而设计。其核心优势在于500V的漏源电压(Vdss)和14A的连续漏极电流(Id)能力,为系统提供了坚固的电压阻断和高电流处理性能。
器件在导通特性上表现突出,导通电阻(Rds(on))在10V Vgs下最大仅为380毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的能效。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大51nC)有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)和高达278W的功率耗散能力,确保了在严苛环境下的可靠性与散热效能。

基本参数:
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