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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4840E是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的40V/6A MOSFET,其核心优势在于极低的导通电阻(典型值28mΩ @ 10V)和优化的开关特性,旨在最大限度地降低功率损耗并提升系统效率。
其栅极驱动要求与标准逻辑电平兼容,且具备低栅极电荷和输入电容,支持高频开关操作。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围和2W的功耗能力,AO4840E为空间紧凑、要求高效率与可靠性的电源转换和电机驱动应用提供了高性能的解决方案。

基本参数:

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