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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7534是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(3x3)表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度(Tc)条件下可持续承受高达30A的漏极电流,具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的功率损耗。在10V Vgs驱动下,导通电阻(Rds(on))典型值仅为5毫欧@20A,能显著降低导通状态下的能量损失。同时,最大22nC的低栅极电荷(Qg)与2.2V的阈值电压,确保了快速、高效的开关性能,并兼容标准逻辑电平驱动,简化了驱动电路设计。
结合其宽工作结温范围(-55°C至150°C)和优化的热性能,AON7534成为空间受限且要求高效率的同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

基本参数:

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