AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB418L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及低至9.7毫欧（@10V Vgs, 20A Id）的导通电阻，这确保了器件在导通状态下具有较低的功率损耗。
该器件设计用于高效开关应用，其栅极电荷（Qg）最大值仅为83nC，有助于降低驱动损耗并支持较高频率的开关操作。在提供充分散热的条件下，其连续漏极电流（Id）在管壳温度（Tc）下可达105A，展现了强大的电流处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在各种环境下的稳定性与可靠性。
基本参数：
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