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AOD4185_DELTA是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件设计最大漏源电压（Vdss）为40V，并在壳温（Tc）条件下支持高达40A的连续漏极电流，展现出较强的功率处理能力。

其P沟道特性简化了高边开关应用的驱动电路设计。TO-252封装形式在散热性能和PCB空间占用上取得了良好平衡，适用于对效率和空间均有要求的电源管理场景。该产品适用于DC-DC转换、负载开关及电机控制等应用。

需要注意的是，此型号目前已处于停产状态。在进行新设计选型或现有产品维护时，应充分考虑供应链的可持续性。

• 制造商产品型号：AOD4185_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 40V TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AOD4185_DELTA，AOS产品一站式供应商。