AOD4185_DELTA（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD4185_DELTA是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件设计最大漏源电压（Vdss）为40V，并在壳温（Tc）条件下支持高达40A的连续漏极电流，展现出较强的功率处理能力。

其P沟道特性简化了高边开关应用的驱动电路设计。TO-252封装形式在散热性能和PCB空间占用上取得了良好平衡，适用于对效率和空间均有要求的电源管理场景。该产品适用于DC-DC转换、负载开关及电机控制等应用。

需要注意的是，此型号目前已处于停产状态。在进行新设计选型或现有产品维护时，应充分考虑供应链的可持续性。

制造商产品型号：AOD4185_DELTA

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET P-CH 40V TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOD4185_DELTA，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD4185_DELTA

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET P-CH 40V TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD4185_DELTA的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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