我们为全球各个行业提供AOS AON6292现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AON6292是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件设计用于高效功率管理，其核心参数包括100V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度下高达85A的连续漏极电流承载能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为6毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。同时，其优化的栅极电荷（最大63nC @ 10V）有助于实现快速的开关切换。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为高可靠性、高功率密度应用的理想选择。

• 型号:AON6292
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 24A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3830 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6292，AOS产品一站式供应商。