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AOI2N60A是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件的核心优势在于其600V的高压承受能力与低至4.7欧姆的导通电阻，这使其在高压开关应用中能有效降低传导损耗，提升能效。

此外，其11nC的低栅极电荷和标准10V驱动电压确保了快速的开关响应，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。结合57W的功率处理能力和-50°C至150°C的宽工作结温范围，AOI2N60A为要求高可靠性的功率转换设计提供了稳健的解决方案。

• 型号:AOI2N60A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:295 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI2N60A，AOS产品一站式供应商。