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AOTF10N60_006是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的性能定位：600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）使其能够胜任主功率路径的开关任务。

该器件的关键优势在于其较低的导通电阻，在10V Vgs和5A Id条件下最大值为750毫欧，有助于减少传导损耗。同时，40nC的栅极电荷（Qg）和4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）平衡了开关速度与驱动简便性。其设计适用于需要高效功率转换和可靠性的工业级应用环境。

• 制造商产品型号：AOTF10N60_006
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• AOTF10N60_006，AOS产品一站式供应商。