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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT282L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心卖点在于优异的导通性能与开关特性平衡，漏源电压（Vdss）为80V，具备高耐压能力。
该器件在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至3.5毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为178nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。在25°C下，其连续漏极电流（Id）为18.5A（Ta），展现出强大的电流处理能力。
宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行，使其成为高效率电源转换和电机驱动等应用的可靠选择。
基本参数：
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