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零件图片（仅供参考）
AON2405
规格参数

AON2405是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用6-DFN-EP（2x2）紧凑封装，专为高效能、高密度电源管理应用而设计。其核心电气参数包括20V的漏源电压额定值和8A的连续漏极电流能力。

该器件的突出优势在于极低的功率损耗，其在4.5V栅极驱动下导通电阻最大值低至32毫欧，同时具备仅18nC的低栅极电荷，这共同确保了优异的导通效率与快速的开关速度。这些特性使其成为负载开关、电池保护及DC-DC转换等应用的理想选择，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。

  • 制造商产品型号：AON2405
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 毫欧 @ 8A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1025pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DFN-EP（2x2）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON2405
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON2405的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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