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零件图片(仅供参考)
AON7752_101
规格参数

AON7752_101是AOS公司AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP(3x3)表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡,在30V漏源电压(Vdss)额定值下,提供高达16A(Tc)的连续电流处理能力。

该器件在10V Vgs驱动下,导通电阻(Rds(On))最大值低至8.2毫欧,显著降低了功率传导损耗。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为15nC,支持快速开关操作,有助于提升系统整体效率并减少开关损耗。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)与良好的热耗散特性(Tc下20W),确保了在 demanding 应用环境中的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号:AON7752_101
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 15A/16A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),16A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.2 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):605pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),20W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7752_101
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 15A/16A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7752_101的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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