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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6240是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN封装,专为高效率和功率密度应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻(1.6mΩ @ 10V, 20A)和较低的栅极电荷(88nC @ 10V),这共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中实现更低的传导损耗和开关损耗。
该器件额定漏源电压为40V,在25°C环境温度下可连续通过27A电流,峰值电流能力更强。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和高达83W(Tc)的功率耗散能力,为其在 demanding 环境下的可靠运行提供了保障。这些参数使其成为同步整流、电机控制和功率分配等高电流开关任务的出色解决方案。

基本参数:

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