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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT5N100 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压开关应用而设计。其核心优势在于高达1000V的漏源击穿电压（Vdss）以及4A的连续漏极电流处理能力，为系统提供了高耐压和可靠的功率开关基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为4.2欧姆，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，确保了较快的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持±30V的栅源电压，增强了在复杂电磁环境下的应用稳定性和耐用性。
基本参数：
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