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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7200_101是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（8毫欧 @ 20A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷仅20nC @ 10V），这共同实现了高效率的功率转换与快速开关能力。
该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）下可承载高达40A的连续电流，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其4.5V至10V的驱动电压范围使其易于被标准逻辑电路驱动，适用于高电流密度和高可靠性的电源管理解决方案。
基本参数：
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