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零件图片(仅供参考)
AOD4180
规格参数

AOD4180是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)封装。该器件设计用于中压、大电流应用,其核心优势在于80V的漏源电压(Vdss)额定值极低的导通电阻(典型14毫欧 @ 10V Vgs),这能显著降低导通状态下的功率损耗。

此外,该器件具备高达54A(Tc)的连续漏极电流能力仅38nC的最大栅极电荷(Qg),实现了高电流处理能力与快速开关特性的良好结合。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行,适用于各类高效的电源转换与电机驱动电路。

  • 制造商产品型号:AOD4180
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 10A/54A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SDMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),54A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2410pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD4180
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 80V 10A/54A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD4180的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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