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AO3416L_103是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心优势在于在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能：漏源电压（Vdss）20V，在环境温度下可支持高达6.5A的连续漏极电流。

该器件的关键卖点包括极低的导通电阻（最大22mΩ @ 4.5V Vgs）和较低的栅极驱动要求（Vgs(th)最大1V），使其能够被标准逻辑电平高效驱动，有助于降低导通损耗并简化驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境条件下的可靠运行。

• 制造商产品型号：AO3416L_103
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1160pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3416L_103，AOS产品一站式供应商。