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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6850是AOS公司推出的一款双N沟道功率MOSFET,采用先进的SDMOS工艺和8-PowerSMD封装。该器件具备100V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)能力,其关键特性在于极低的导通电阻(RDS(on)典型值35mΩ @ 10V)与优化的开关特性(Qg典型值29nC @ 10V),旨在实现高效率与低功耗。
其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和1.7W的最大功耗额定值,确保了在苛刻环境下的稳定运行。这款表面贴装器件特别适合于空间受限、要求高功率密度和高效能的应用场景,如同步整流DC-DC转换器和电机驱动控制。

基本参数:

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