AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7510是AOS公司AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达75A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为1.25毫欧，能有效降低导通损耗，提升系统效率。
此外，该MOSFET具备优化的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为140nC @ 10V，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，热性能出色。这些特性使其非常适合用于空间受限且要求高效率和高功率密度的应用，如服务器电源、电机驱动和便携式设备的功率管理。
基本参数：
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