我们为全球各个行业提供AOS AON6994现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AON6994是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件设计用于中低压、高电流应用，其两个非对称N沟道MOSFET的连续漏极电流能力分别为19A和26A，最大漏源电压为30V。

其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(on)）低至5.2毫欧（@10V, 20A），显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（13nC @10V）和输入电容（820pF @15V）确保了快速的开关瞬态和极小的开关损耗，使其非常适合高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。

• 型号:AON6994
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A，26A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6994，AOS产品一站式供应商。