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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6994是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件设计用于中低压、高电流应用，其两个非对称N沟道MOSFET的连续漏极电流能力分别为19A和26A，最大漏源电压为30V。
其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(on)）低至5.2毫欧（@10V, 20A），显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（13nC @10V）和输入电容（820pF @15V）确保了快速的开关瞬态和极小的开关损耗，使其非常适合高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。
基本参数：
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